لطفا جهت اطلاع از آخرین دوره ها و اخبار سایت در
کانال تلگرام
عضو شوید.
آموزش مدارهای مبدل توان
- آخرین آپدیت
دانلود Converter Circuits
نکته:
ممکن هست محتوای این صفحه بروز نباشد ولی دانلود دوره آخرین آپدیت می باشد.
نمونه ویدیوها:
توضیحات دوره:
این دوره میتواند به عنوان واحد تحصیلی ECEA 5701، بخشی از مقطع کارشناسی ارشد مهندسی برق دانشگاه CU Boulder گذرانده شود.
این دوره مفاهیم پیشرفتهتری از مدارهای مبدل حالت سوئیچینگ (Switched-mode) را معرفی میکند. در این دوره، پیادهسازی نیمههادیهای قدرت در اینورترها یا مبدلهایی با جریان توان دوطرفه توضیح داده شده است. دیودهای قدرت، ماسفتهای قدرت (Power MOSFETs) و IGBTها به همراه منشأ زمانهای سوئیچینگ آنها بررسی میشوند. مدلهای مدار معادل برای در نظر گرفتن اثرات تلفات سوئیچینگ بهینهسازی شدهاند. همچنین حالت هدایت ناپیوسته (DCM) توصیف و تحلیل میشود و تعدادی از توپولوژیهای شناخته شده مدارهای مبدل، از جمله مدلهای دارای ایزولاسیون ترانسفورماتور، مورد بررسی قرار میگیرند.
تکالیف این دوره شامل طراحی مبدل بوست (Boost Converter) و اینورتر H-bridge مورد استفاده در سیستمهای اینورتر خورشیدی متصل به شبکه، و همچنین مبدلهای فوروارد (Forward) و فلایبک (Flyback) ایزوله با ترانسفورماتور است.
پس از اتمام این دوره، شما قادر خواهید بود:
●نحوه پیادهسازی قطعات نیمههادی قدرت در یک مبدل سوئیچینگ را درک کنید
●منشأ حالت هدایت ناپیوسته (DCM) را شناخته و بتوانید مبدلهای فعال در این حالت را تحلیل کنید
●مدارهای پایه مبدل DC-DC و اینورتر DC-AC را درک کنید
●نحوه پیادهسازی ایزولاسیون ترانسفورماتور در مبدلهای DC-DC، از جمله توپولوژیهای محبوب فوروارد و فلایبک را بیاموزید
گذراندن دوره مقدماتی «مبانی الکترونیک قدرت» به عنوان پیشنیاز این دوره در نظر گرفته شده است.
سرفصل ها و درس ها
فصل ۴.۱: پیادهسازی سوئیچ
Ch 4.1: Switch Realization
بخش ۴.۱.۱ سوئیچهای تکروباعی
Sect. 4.1.1 Single-Quadrant Switches
بخش ۴.۱.۲ سوئیچهای دوطرفه جریان
Sect. 4.1.2 Current-Bidirectional Switches
بخشهای ۴.۱.۳ تا ۵ سوئیچهای دو و چهار روباعی، یکسوکنندههای سنکرون
Sects. 4.1.3-5 Two- and Four-Quadrant Switches, Synchronous Rectifiers
فصل ۴.۲: سوئیچهای نیمههادی قدرت
Ch 4.2: Power Semiconductor Switches
بخش ۴.۲.۰ مقدمهای بر نیمههادیهای قدرت
Sect. 4.2.0 Introduction to Power Semiconductors
بخش ۴.۲.۱.۱ یکسوکنندههای دیودی
Sect. 4.2.1.1 Diode Rectifiers
بخش ۴.۲.۱.۲ مدلسازی مدار معادل تلفات سوئیچینگ
Sect. 4.2.1.2 Equivalent Circuit Modeling of Switching Loss
بخش ۴.۲.۱.۳ مثال مبدل بوست
Sect. 4.2.1.3 Boost Converter Example
بخش ۴.۲.۱.۴ نکات تکمیلی درباره یکسوکنندهها
Sect. 4.2.1.4 More About Rectifiers
بخش ۴.۲.۲.۱ ماسفتهای قدرت
Sect. 4.2.2.1 Power MOSFETs
بخش ۴.۲.۲.۲ درایورهای گیت ماسفت
Sect. 4.2.2.2 MOSFET Gate Drivers
بخش ۴.۲.۳ ترانزیستورهای BJT و IGBT
Sect. 4.2.3 BJTs and IGBTs
بخش ۴.۳ نکات بیشتر درباره تلفات سوئیچینگ
Sect. 4.3 More About Switching Loss
نیمههادیهای قدرت با گاف پهن (Wide Bandgap)
Wide Bandgap Power Semiconductors
شبیهسازی مبدل بوست سنکرون
Simulation of a Synchronous Boost Converter
فصل ۵: حالت هدایت ناپیوسته
Ch 5: Discontinuous Conduction Mode
بخش ۵.۱ منشأ DCM و مرز حالتها
Sect. 5.1 Origin of DCM and Mode Boundary
بخش ۵.۲ تحلیل نسبت تبدیل M(D,K)
Sect. 5.2 Analysis of the Conversion Ratio M(D,K)
بخش ۵.۳ مثال مبدل بوست
Sect. 5.3 Boost Converter Example
فصل ۶: مدارهای مبدل
Ch 6: Converter Circuits
بخش ۶.۱.۱ توپولوژیهای مبدل DC-DC
Sect. 6.1.1-2 DC-DC Converter Topologies
بخش ۶.۱.۴ نحوه سنتز یک اینورتر
Sect. 6.1.4 How to Synthesize an Inverter
بخش ۶.۲ فهرستی کوتاه از مبدلهای غیرایزوله
Sect. 6.2 A Short List of Nonisolated Converters
بخش ۶.۳ ترانسفورماتورها
Sect. 6.3 Transformers
بخش ۶.۳.۲ مبدل فوروارد
Sect. 6.3.2 The Forward Converter
بخش ۶.۳.۴ مبدل فلایبک
Sect. 6.3.4 The Flyback Converter
نمایش نظرات