آموزش دیودهای شاتکی ولتاژ بالا و دیودهای p-n - آخرین آپدیت

دانلود High Voltage Schottky and p-n Diodes

نکته: ممکن هست محتوای این صفحه بروز نباشد ولی دانلود دوره آخرین آپدیت می باشد.
نمونه ویدیوها:
توضیحات دوره: این دوره می‌تواند به عنوان واحد دانشگاهی ECEA 5722، بخشی از مقطع کارشناسی ارشد مهندسی برق دانشگاه CU Boulder گذرانده شود. این دوره در درجه اول برای دانشجویان سال اول تحصیلات تکمیلی علاقه‌مند به مهندسی یا علوم، و همچنین متخصصانی که به الکترونیک قدرت و قطعات نیمه‌هادی علاقه دارند، طراحی شده است. این دومین دوره از تخصص «قطعات قدرت نیمه‌هادی» است که بر دیودها، MOSFETها و IGBTها تمرکز دارد، اما قطعات قدیمی (BJTها، تریستورها و TRIACها) و همچنین قطعات پیشرفته مانند دیودهای شاتکی و MOSFETهای سیلیکون کارباید (SiC) و HEMTهای گالیم نیترید (GaN) را نیز پوشش می‌دهد. این تخصص، نمایی کلی از قطعات، پیش‌زمینه فیزیکی مورد نیاز برای درک عملکرد قطعه، ساخت مدل مدار قطعه از یک مدل فیزیکی و شرح فناوری ساخت قطعه از جمله بسته‌بندی را ارائه می‌دهد. این دوره دوم، شرح مفصل‌تری از دیودهای شاتکی ولتاژ بالا و دیودهای p-n ارائه می‌دهد که با پیش‌زمینه فیزیک نیمه‌هادی‌های مورد نیاز برای تحلیل هر دو نوع دیود آغاز می‌شود. ویژگی‌های اصلی نیمه‌هادی‌های کریستالی که منجر به محاسبه تراکم حامل‌ها و جریان‌های حامل می‌شود، ارائه شده و در نهایت به مدل رانش-نفوذ (drift-diffusion) برای نیمه‌هادی‌های مورد نظر می‌رسد. سپس نگاهی دقیق به دیودهای شاتکی و پس از آن دیودهای p-n با تمرکز بر شاخص‌های کلیدی عملکرد از جمله مقاومت روشن (on-resistance)، ولتاژ شکست و ظرفیت خازنی دیود خواهیم داشت. برای هر دیود، تحلیل‌ها به مدل SPICE مربوطه مرتبط می‌شوند. در نهایت، تلفات دیود قدرت - شامل تلفات حالت روشن و تلفات سوئیچینگ - در یک مدار مبدل مورد بررسی قرار می‌گیرند، که شامل مقایسه‌ای بین دیودهای p-n سیلیکونی و دیودهای شاتکی 4H-SiC است. اهداف یادگیری: • ارائه درک مفصل از دیودهای شاتکی ولتاژ بالا و دیودهای p-n به دانشجویان. • توانمندسازی دانشجویان در محاسبه پارامترهای کلیدی دیود بر اساس ساختار فیزیکی آن‌ها. • توانمندسازی دانشجویان در ساخت مدل‌های SPICE برای دیودهای شاتکی و p-n.

سرفصل ها و درس ها

پیش‌زمینه فیزیک نیمه‌هادی‌ها Semiconductor physics background

  • 1.1 کریستال‌های نیمه‌هادی 1.1 Semiconductor crystals

  • 1.2 باندهای انرژی 1.2 Energy bands

  • 1.3 تراکم الکترون‌ها و حفره‌ها 1.3 Electron and hole densities

  • 1.4 انتقال حامل‌ها 1.4 Carrier transport

  • 1.5 معادله پیوستگی 1.5 Continuity equation

  • 1.6 مدل رانش-نفوذ 1.6 Drift-diffusion model

دیودهای شاتکی Schottky diodes

  • 2.1 اتصالات فلز-نیمه‌هادی 2.1 Metal-semiconductor junctions

  • 2.2 تحلیل الکترواستاتیک 2.2 Electrostatic analysis

  • 2.3 جریان دیود شاتکی 2.3 Schottky diode current

  • 2.4 شکست دیود شاتکی 2.4 Schottky diode breakdown

  • 2.5 مدل اسپایس (Spice) دیود شاتکی 2.5 Spice model of a Schottky diode

دیودهای p-n p-n Diodes

  • 3.1 ساختار دیود p-n 3.1 p-n Diode structure

  • 3.2 تحلیل الکترواستاتیک 3.2 Electrostatic analysis

  • 3.3 جریان دیود p-n 3.3 p-n Diode current

  • 3.4 ذخیره حامل‌های اقلیت و ظرفیت نفوذ 3.4 Minority carrier storage - diffusion capacitance

  • 3.5 مدل اسپایس (SPICE) دیود p-n 3.5 SPICE model of a p-n diode

تلفات دیودهای قدرت Power diode losses

  • 4.1 مقاومت دیود در برابر ولتاژ شکست 4.1 Diode resistance versus breakdown voltage

  • 4.2 تلفات سوئیچینگ 4.2 Switching losses

  • 4.3 مقایسه دیودهای شاتکی و p-n 4.3 Comparison of Schottky and p-n diodes

نمایش نظرات

آموزش دیودهای شاتکی ولتاژ بالا و دیودهای p-n
جزییات دوره
19h 25m
19
(آخرین آپدیت)
1,151
- از 5
دارد
دارد
دارد
Chris Croft
جهت دریافت آخرین اخبار و آپدیت ها در کانال تلگرام عضو شوید.

Google Chrome Browser

Internet Download Manager

Pot Player

Winrar

Chris Croft Chris Croft

مربی مدیریت، سخنران، نویسنده