لطفا جهت اطلاع از آخرین دوره ها و اخبار سایت در
کانال تلگرام
عضو شوید.
آموزش دیودهای شاتکی ولتاژ بالا و دیودهای p-n
- آخرین آپدیت
دانلود High Voltage Schottky and p-n Diodes
نکته:
ممکن هست محتوای این صفحه بروز نباشد ولی دانلود دوره آخرین آپدیت می باشد.
نمونه ویدیوها:
توضیحات دوره:
این دوره میتواند به عنوان واحد دانشگاهی ECEA 5722، بخشی از مقطع کارشناسی ارشد مهندسی برق دانشگاه CU Boulder گذرانده شود.
این دوره در درجه اول برای دانشجویان سال اول تحصیلات تکمیلی علاقهمند به مهندسی یا علوم، و همچنین متخصصانی که به الکترونیک قدرت و قطعات نیمههادی علاقه دارند، طراحی شده است.
این دومین دوره از تخصص «قطعات قدرت نیمههادی» است که بر دیودها، MOSFETها و IGBTها تمرکز دارد، اما قطعات قدیمی (BJTها، تریستورها و TRIACها) و همچنین قطعات پیشرفته مانند دیودهای شاتکی و MOSFETهای سیلیکون کارباید (SiC) و HEMTهای گالیم نیترید (GaN) را نیز پوشش میدهد. این تخصص، نمایی کلی از قطعات، پیشزمینه فیزیکی مورد نیاز برای درک عملکرد قطعه، ساخت مدل مدار قطعه از یک مدل فیزیکی و شرح فناوری ساخت قطعه از جمله بستهبندی را ارائه میدهد.
این دوره دوم، شرح مفصلتری از دیودهای شاتکی ولتاژ بالا و دیودهای p-n ارائه میدهد که با پیشزمینه فیزیک نیمههادیهای مورد نیاز برای تحلیل هر دو نوع دیود آغاز میشود. ویژگیهای اصلی نیمههادیهای کریستالی که منجر به محاسبه تراکم حاملها و جریانهای حامل میشود، ارائه شده و در نهایت به مدل رانش-نفوذ (drift-diffusion) برای نیمههادیهای مورد نظر میرسد. سپس نگاهی دقیق به دیودهای شاتکی و پس از آن دیودهای p-n با تمرکز بر شاخصهای کلیدی عملکرد از جمله مقاومت روشن (on-resistance)، ولتاژ شکست و ظرفیت خازنی دیود خواهیم داشت. برای هر دیود، تحلیلها به مدل SPICE مربوطه مرتبط میشوند. در نهایت، تلفات دیود قدرت - شامل تلفات حالت روشن و تلفات سوئیچینگ - در یک مدار مبدل مورد بررسی قرار میگیرند، که شامل مقایسهای بین دیودهای p-n سیلیکونی و دیودهای شاتکی 4H-SiC است.
اهداف یادگیری:
• ارائه درک مفصل از دیودهای شاتکی ولتاژ بالا و دیودهای p-n به دانشجویان.
• توانمندسازی دانشجویان در محاسبه پارامترهای کلیدی دیود بر اساس ساختار فیزیکی آنها.
• توانمندسازی دانشجویان در ساخت مدلهای SPICE برای دیودهای شاتکی و p-n.
نمایش نظرات